xn--90ab9acbhdbm5g.xn--p1ai

RF Power Transistor HF/VHF/UHF N - Channel MOSFETs RF IGBT SMD blank font

MRF1550FN 1pcs, SMD RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement - Mode Lateral MOSFETs, Original In Stock

BLF4G10LS-160 1pcs Free Shipping , SMD RF tube Trans RF MOSFET N-CH UHF power LDMOS transistor,Original In Stock

2MHZ-700MHZ RF Power Amplifier 20DB 3W Low Noise Broadband RF Power Amplification Module for HF VHF UHF FM

Розетка JUNG S4110 ECO Profi

Розетка спутниковая проходная Jung S4110+A561BFPLSATANM цвет черный матовыйМеханизмы Jung поставляются с (накладкой), лицевыми панелями и суппортом. Для полной комплектации устройства необходимо заказать рамки. Крепление в монтажную коробку на винтах. Предназначены для коммутации тв спутникового кабеля. Блестящий дуропласт и термопласт в зависимости от цвета изделия. Страна сборки Германия. Заводы Jung Люнен в Вестфалии. Технические характеристики. IN – TV (IEC вилка)частотный диапазон: 5 - 862 МГцзатухание: 2,5 дБIN – RF (IEC гнездо)частотный диапазон: 5 - 118 МГцзатухание: 6,5 дБIN – SAT (F гнездо)частотный диапазон: 950 - 2150 (2400) МГцзатухание: 2,2 дБИзоляция: TV – SAT: VHF, UHF - SAT: 20-20 дБRF – SAT: VHF - SAT: 35-30 дБTV – RF: VHF, UHF: 20 дБПропускаемый постоянный токSAT-IN (F гнездо): 13-18 В, 22 кГцмакс. +24 В-0,5 AМатериал: Стальной суппорт. Не содержит галогенов. Стойкий к УФ-излучению. Класс защиты ip20.

MRFE8VP8600H 1pcs, SMD RF tube RF Power LDMOS Transistor,Original In Stock

2SC2181 Free Shipping 1pcs. SMD RF tube NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power,Original In Stock

Микросхема SIZ916DT-T1-GE3 N-Channel MOSFET 30V 40A PowerPAIR6x5

SIZ916DT-T1-GE3Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs 40A SIZ916DT-T1-GE3

35db 1MHz-700MHZ RF Power Amplifier 3.2W HF VHF UHF FM Transmitter +15V DC

175MHz 6W 13.5V RF POWER TRANSISTOR 2SC2237 for RF power amplifiers in VHF band mobile radio C2237

BLV80/28 1pcs, SMD RF tube NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR,Original In Stock

BLV45/12 Free Shipping 1pcs, SMD RF tube VHF power transistor NPN silicon planar epitaxial transistor, 100% Original In Stock

STM8306 микросхема

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)N-channel: Vdss=30V, Id=7A, Rds(on)=26 mOhm, P-channel: Vdss=30V, Id=6A, Rds(on)=38 mOhm

BLF248 Free Shipping 1pcs, SMD RF tube VHF push-pull power MOS transistor, 100% Original In Stock

BLF368 1PCS VHF push-pull power MOS transistor SMD RF tube High Frequency tube Power amplification module in stock

MRF6S21050L 1pcs, SMD RF tube RF Power Field Effect Transistors N - Channel Enhancement, 100% Original In Stock